KO6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KO6601
   Código: F1*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KO6601

KO6601 Datasheet (PDF)

..1. Size:354K kexin
ao6601 ko6601.pdf

SMD Type MOSFETComplementary Trench MOSFET AO6601 (KO6601)( )SOT-23-6 +0.10.4 -0.1 Features6 5 4N-Channel : VDS (V) = 30V ID = 3.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 60m (VGS = 10V)2 31 RDS(ON) 70m (VGS = 4.5V) +0.01-0.01 RDS(ON) 90m (VGS = 2.5V)+0.2-0.1P-Channel : VDS (V) = -30V ID = -2.3 A (VGS = 10V)4 D21 G1 RDS

9.1. Size:3581K kexin
ao6604 ko6604.pdf

SMD Type MOSFETComplementary Trench MOSFET AO6604 (KO6604)( )SOT-23-6 Unit: mm Features 0.4+0.1-0.1 N-ChannelVDS=20V ID=3.4A6 5 4RDS(ON) 65m (VGS = 4.5V)RDS(ON) 75m (VGS = 2.5V)RDS(ON) 100m (VGS = 1.8V) P-ChannelVDS=-20V ID=-2.5A2 31RDS(ON) 75m (VGS =-4.5V)+0.020.15 -0.02+0.01-0.01RDS(ON) 95m (VGS =-2.5V)+0

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: