Справочник MOSFET. KO6601

 

KO6601 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KO6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для KO6601

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KO6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  kexin
 ao6601 ko6601.pdf pdf_icon

KO6601

SMD Type MOSFETComplementary Trench MOSFET AO6601 (KO6601)( )SOT-23-6 +0.10.4 -0.1 Features6 5 4N-Channel : VDS (V) = 30V ID = 3.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 60m (VGS = 10V)2 31 RDS(ON) 70m (VGS = 4.5V) +0.01-0.01 RDS(ON) 90m (VGS = 2.5V)+0.2-0.1P-Channel : VDS (V) = -30V ID = -2.3 A (VGS = 10V)4 D21 G1 RDS

 9.1. Size:3581K  kexin
 ao6604 ko6604.pdf pdf_icon

KO6601

SMD Type MOSFETComplementary Trench MOSFET AO6604 (KO6604)( )SOT-23-6 Unit: mm Features 0.4+0.1-0.1 N-ChannelVDS=20V ID=3.4A6 5 4RDS(ON) 65m (VGS = 4.5V)RDS(ON) 75m (VGS = 2.5V)RDS(ON) 100m (VGS = 1.8V) P-ChannelVDS=-20V ID=-2.5A2 31RDS(ON) 75m (VGS =-4.5V)+0.020.15 -0.02+0.01-0.01RDS(ON) 95m (VGS =-2.5V)+0

Другие MOSFET... KI2302 , KI2303 , KI2308DS , KI2312 , KI2323 , KI4435DY , KO3415 , KO6401-HF , IRF9540N , KO6604 , KRlML2402 , KRLML6401 , ME2302 , ME2306A , ME2306A-G , ME2306D , ME2306D-G .

History: PPMT12V4 | TSF50N06M | TK40X10J1 | NP84N075MUE | SLF60R190S2 | PSMN012-100YS

 

 
Back to Top

 


 
.