Справочник MOSFET. KO6601

 

KO6601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KO6601
   Маркировка: F1*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.15 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
   Время нарастания (tr): 1.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 45(max) pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6

 Аналог (замена) для KO6601

 

 

KO6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  kexin
 ao6601 ko6601.pdf

KO6601 KO6601

SMD Type MOSFETComplementary Trench MOSFET AO6601 (KO6601)( )SOT-23-6 +0.10.4 -0.1 Features6 5 4N-Channel : VDS (V) = 30V ID = 3.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 60m (VGS = 10V)2 31 RDS(ON) 70m (VGS = 4.5V) +0.01-0.01 RDS(ON) 90m (VGS = 2.5V)+0.2-0.1P-Channel : VDS (V) = -30V ID = -2.3 A (VGS = 10V)4 D21 G1 RDS

 9.1. Size:3581K  kexin
 ao6604 ko6604.pdf

KO6601 KO6601

SMD Type MOSFETComplementary Trench MOSFET AO6604 (KO6604)( )SOT-23-6 Unit: mm Features 0.4+0.1-0.1 N-ChannelVDS=20V ID=3.4A6 5 4RDS(ON) 65m (VGS = 4.5V)RDS(ON) 75m (VGS = 2.5V)RDS(ON) 100m (VGS = 1.8V) P-ChannelVDS=-20V ID=-2.5A2 31RDS(ON) 75m (VGS =-4.5V)+0.020.15 -0.02+0.01-0.01RDS(ON) 95m (VGS =-2.5V)+0

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLTS2242TR

 

 
Back to Top