STH10NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STH10NA50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO218

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STH10NA50

STH10NA50 Datasheet (PDF)

..1. Size:386K st
sth10na50.pdf

STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH10NA50 500 V

8.1. Size:337K st
stw10nc60 sth10nc60fi.pdf

STW10NC60STH10NC60FIN-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218PowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW10NC60 600 V

8.2. Size:243K st
sth10n.pdf

STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTH10NA50 500 V

9.1. Size:437K semtech
sth1061.pdf

ST H1061 NPN Plastic Power Transistor Low frequency power amplifier TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Emitter Voltage VCEO 50 V Collector Base Voltage VCBO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 4 VCollector Current IC 3 APower Dissipation Ptot 25 WOJunction Temperature Tj 150 C OStorage Temperature Range TS -45

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Liste

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