Справочник MOSFET. STH10NA50

 

STH10NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH10NA50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO218
 

 Аналог (замена) для STH10NA50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH10NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  st
 sth10na50.pdf pdf_icon

STH10NA50

STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH10NA50 500 V

 8.1. Size:337K  st
 stw10nc60 sth10nc60fi.pdf pdf_icon

STH10NA50

STW10NC60STH10NC60FIN-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218PowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW10NC60 600 V

 8.2. Size:243K  st
 sth10n.pdf pdf_icon

STH10NA50

STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTH10NA50 500 V

 9.1. Size:437K  semtech
 sth1061.pdf pdf_icon

STH10NA50

ST H1061 NPN Plastic Power Transistor Low frequency power amplifier TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Emitter Voltage VCEO 50 V Collector Base Voltage VCBO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 4 VCollector Current IC 3 APower Dissipation Ptot 25 WOJunction Temperature Tj 150 C OStorage Temperature Range TS -45

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STE38N60 , STE38NA50 , STE40N55 , STE45N50 , STE47N50 , STE50N40 , STE53NA50 , STE90N25 , 4435 , STH10NA50FI , STH12N60 , STH12N60FI , STH12NA60 , STH12NA60FI , STH14N50 , STH14N50FI , STH15N50 .

History: IRFU5410 | KDV303N | AON6702 | IXTP2N60P | FDA28N50

 

 
Back to Top

 


 
.