STH10NA50 - описание и поиск аналогов

 

STH10NA50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH10NA50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO218

Аналог (замена) для STH10NA50

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH10NA50 даташит

 ..1. Size:386K  st
 sth10na50.pdf pdf_icon

STH10NA50

STH10NA50/FI STW10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH10NA50 500 V

 8.1. Size:337K  st
 stw10nc60 sth10nc60fi.pdf pdf_icon

STH10NA50

STW10NC60 STH10NC60FI N-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW10NC60 600 V

 8.2. Size:243K  st
 sth10n.pdf pdf_icon

STH10NA50

STH10NA50/FI STW10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STH10NA50 500 V

 9.1. Size:437K  semtech
 sth1061.pdf pdf_icon

STH10NA50

ST H1061 NPN Plastic Power Transistor Low frequency power amplifier TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 50 V Collector Base Voltage VCBO 50 V Emitter Base Voltage VEBO 4 V Collector Current IC 3 A Power Dissipation Ptot 25 W O Junction Temperature Tj 150 C O Storage Temperature Range TS -45

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STE38N60 , STE38NA50 , STE40N55 , STE45N50 , STE47N50 , STE50N40 , STE53NA50 , STE90N25 , 5N65 , STH10NA50FI , STH12N60 , STH12N60FI , STH12NA60 , STH12NA60FI , STH14N50 , STH14N50FI , STH15N50 .

History: STE53NA50

 

 

 


 
↑ Back to Top
.