ME2333-G Todos los transistores

 

ME2333-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2333-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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ME2333-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1049K  matsuki electric
 me2333 me2333-g.pdf pdf_icon

ME2333-G

ME2333/ME2333-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)35m@VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)49m@VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)69m@VGS=-1.8V minimize on-st

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History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
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