ME2333-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME2333-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.9 V
Carga de la puerta (Qg): 17.5 nC
Tiempo de subida (tr): 29.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 141 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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ME2333-G Datasheet (PDF)
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ME2333/ME2333-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)35m@VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)49m@VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)69m@VGS=-1.8V minimize on-st
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