ME2333-G - описание и поиск аналогов

 

ME2333-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME2333-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для ME2333-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2333-G даташит

 ..1. Size:1049K  matsuki electric
 me2333 me2333-g.pdf pdf_icon

ME2333-G

ME2333/ME2333-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 35m @VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 49m @VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 69m @VGS=-1.8V minimize on-st

Другие MOSFET... ME2323D-G , ME2325 , ME2325-G , ME2326A , ME2326A-G , ME2328 , ME2328-G , ME2333 , AO3407 , ME2345A , ME2345A-G , ME25N06 , ME25N06-G , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G .

History: SI2315BDS | ZXMP10A18KTC | FS5KM-10A | FHU540A | CMT04N60XN220FP | IRF3205ZSPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.