Справочник MOSFET. ME2333-G

 

ME2333-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME2333-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для ME2333-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2333-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1049K  matsuki electric
 me2333 me2333-g.pdf pdf_icon

ME2333-G

ME2333/ME2333-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)35m@VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)49m@VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)69m@VGS=-1.8V minimize on-st

Другие MOSFET... ME2323D-G , ME2325 , ME2325-G , ME2326A , ME2326A-G , ME2328 , ME2328-G , ME2333 , 7N60 , ME2345A , ME2345A-G , ME25N06 , ME25N06-G , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G .

History: G4N65 | AP85T03GP | DAMI220N200 | CEM3258 | HGB050N14S | HGT022N12S

 

 
Back to Top

 


 
.