ME2333-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME2333-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17.5 nC
Время нарастания (tr): 29.8 ns
Выходная емкость (Cd): 141 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
ME2333-G Datasheet (PDF)
..1. Size:1049K matsuki electric
me2333 me2333-g.pdf
me2333 me2333-g.pdf
ME2333/ME2333-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)35m@VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)49m@VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)69m@VGS=-1.8V minimize on-st
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
