STH10NA50FI Todos los transistores

 

STH10NA50FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH10NA50FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT218
 

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STH10NA50FI datasheet

 5.1. Size:386K  st
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STH10NA50FI

STH10NA50/FI STW10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH10NA50 500 V

 8.1. Size:337K  st
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STH10NA50FI

STW10NC60 STH10NC60FI N-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW10NC60 600 V

 8.2. Size:243K  st
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STH10NA50FI

STH10NA50/FI STW10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STH10NA50 500 V

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