STH10NA50FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH10NA50FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.75 VQgⓘ - Carga de la puerta: 56 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOWATT218
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STH10NA50FI
STH10NA50FI Datasheet (PDF)
sth10na50.pdf
STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH10NA50 500 V
stw10nc60 sth10nc60fi.pdf
STW10NC60STH10NC60FIN-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218PowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW10NC60 600 V
sth10n.pdf
STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTH10NA50 500 V
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