STH10NA50FI Todos los transistores

 

STH10NA50FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH10NA50FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT218
 

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STH10NA50FI Datasheet (PDF)

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STH10NA50FI

STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH10NA50 500 V

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STH10NA50FI

STW10NC60STH10NC60FIN-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218PowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW10NC60 600 V

 8.2. Size:243K  st
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STH10NA50FI

STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTH10NA50 500 V

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