STH10NA50FI - описание и поиск аналогов

 

STH10NA50FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH10NA50FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT218

Аналог (замена) для STH10NA50FI

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH10NA50FI даташит

 5.1. Size:386K  st
 sth10na50.pdf pdf_icon

STH10NA50FI

STH10NA50/FI STW10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH10NA50 500 V

 8.1. Size:337K  st
 stw10nc60 sth10nc60fi.pdf pdf_icon

STH10NA50FI

STW10NC60 STH10NC60FI N-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW10NC60 600 V

 8.2. Size:243K  st
 sth10n.pdf pdf_icon

STH10NA50FI

STH10NA50/FI STW10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STH10NA50 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STE38NA50 , STE40N55 , STE45N50 , STE47N50 , STE50N40 , STE53NA50 , STE90N25 , STH10NA50 , IRF1010E , STH12N60 , STH12N60FI , STH12NA60 , STH12NA60FI , STH14N50 , STH14N50FI , STH15N50 , STH15N50FI .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.