Справочник MOSFET. STH10NA50FI

 

STH10NA50FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH10NA50FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218
 

 Аналог (замена) для STH10NA50FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH10NA50FI Datasheet (PDF)

 5.1. Size:386K  st
 sth10na50.pdf pdf_icon

STH10NA50FI

STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH10NA50 500 V

 8.1. Size:337K  st
 stw10nc60 sth10nc60fi.pdf pdf_icon

STH10NA50FI

STW10NC60STH10NC60FIN-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218PowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW10NC60 600 V

 8.2. Size:243K  st
 sth10n.pdf pdf_icon

STH10NA50FI

STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTH10NA50 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STE38NA50 , STE40N55 , STE45N50 , STE47N50 , STE50N40 , STE53NA50 , STE90N25 , STH10NA50 , IRF530 , STH12N60 , STH12N60FI , STH12NA60 , STH12NA60FI , STH14N50 , STH14N50FI , STH15N50 , STH15N50FI .

 

 
Back to Top

 


 
.