ME25N06-G Todos los transistores

 

ME25N06-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME25N06-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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ME25N06-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  matsuki electric
 me25n06 me25n06-g.pdf pdf_icon

ME25N06-G

ME25N06/ME25N06-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)62m@VGS=10VThe ME25N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)86m@VGS=4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored

 9.1. Size:2213K  matsuki electric
 me25n15al me25n15al-g.pdf pdf_icon

ME25N06-G

ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r

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History: IXTH30N60P | IPA032N06N3G | CSD18503KCS | CEP03N8 | TPCC8068-H | HY3912A | HM9N90F

 

 
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