ME25N06-G Todos los transistores

 

ME25N06-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME25N06-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de ME25N06-G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ME25N06-G datasheet

 ..1. Size:1175K  matsuki electric
 me25n06 me25n06-g.pdf pdf_icon

ME25N06-G

ME25N06/ME25N06-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 62m @VGS=10V The ME25N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 86m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored

 9.1. Size:2213K  matsuki electric
 me25n15al me25n15al-g.pdf pdf_icon

ME25N06-G

ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r

Otros transistores... ME2326A-G , ME2328 , ME2328-G , ME2333 , ME2333-G , ME2345A , ME2345A-G , ME25N06 , IRF2807 , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 , ME2612-G , ME2N7002D , ME2N7002E .

History: ATM7002NSA | TMP3N50Z | B1M160120HC | ME2612

 

 

 

 

↑ Back to Top
.