ME25N06-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME25N06-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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ME25N06-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1175K matsuki electric
me25n06 me25n06-g.pdf

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9.1. Size:2213K matsuki electric
me25n15al me25n15al-g.pdf

ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r

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Liste

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