Справочник MOSFET. ME25N06-G

 

ME25N06-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME25N06-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для ME25N06-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME25N06-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  matsuki electric
 me25n06 me25n06-g.pdf pdf_icon

ME25N06-G

ME25N06/ME25N06-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)62m@VGS=10VThe ME25N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)86m@VGS=4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored

 9.1. Size:2213K  matsuki electric
 me25n15al me25n15al-g.pdf pdf_icon

ME25N06-G

ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r

Другие MOSFET... ME2326A-G , ME2328 , ME2328-G , ME2333 , ME2333-G , ME2345A , ME2345A-G , ME25N06 , IRFB31N20D , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 , ME2612-G , ME2N7002D , ME2N7002E .

History: CEP85N75 | AP4511GED | FTK2102 | AUIRLB3036 | SSM6P36FE

 

 
Back to Top

 


 
.