ME2612-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME2612-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.375 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME2612-G

ME2612-G Datasheet (PDF)

..1. Size:983K matsuki electric
me2612 me2612-g.pdf

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9.1. Size:1152K matsuki electric
me2614 me2614-g.pdf

ME2614/ME2614-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2614 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)166m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)213m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

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Liste

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