Справочник MOSFET. ME2612-G

 

ME2612-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME2612-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.375 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2612-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:983K  matsuki electric
 me2612 me2612-g.pdf pdf_icon

ME2612-G

ME2612/ME2612-G N-Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)375m@VGS=10V The ME2612 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)390m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially ta

 9.1. Size:1152K  matsuki electric
 me2614 me2614-g.pdf pdf_icon

ME2612-G

ME2614/ME2614-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2614 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)166m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)213m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TPP60R350C | KP821B | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | BSC050N10NS5

 

 
Back to Top

 


 
.