ME2612-G - аналоги и даташиты транзистора

 

ME2612-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME2612-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.375 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для ME2612-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2612-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:983K  matsuki electric
 me2612 me2612-g.pdf pdf_icon

ME2612-G

ME2612/ME2612-G N-Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)375m@VGS=10V The ME2612 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)390m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially ta

 9.1. Size:1152K  matsuki electric
 me2614 me2614-g.pdf pdf_icon

ME2612-G

ME2614/ME2614-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2614 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)166m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)213m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

Другие MOSFET... ME2345A-G , ME25N06 , ME25N06-G , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 , IRF520 , ME2N7002D , ME2N7002E , ME3205T , ME3205T-G , ME3587 , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 .

History: AP9977GJ-HF | SVS65R400L8AE3TR | SI5468DC

 

 
Back to Top

 


 
.