ME2612-G - описание и поиск аналогов

 

ME2612-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME2612-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.375 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для ME2612-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2612-G даташит

 ..1. Size:983K  matsuki electric
 me2612 me2612-g.pdf pdf_icon

ME2612-G

ME2612/ME2612-G N-Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 375m @VGS=10V The ME2612 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 390m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially ta

 9.1. Size:1152K  matsuki electric
 me2614 me2614-g.pdf pdf_icon

ME2612-G

ME2614/ME2614-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2614 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 166m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 213m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

Другие MOSFET... ME2345A-G , ME25N06 , ME25N06-G , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 , 75N75 , ME2N7002D , ME2N7002E , ME3205T , ME3205T-G , ME3587 , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 .

History: SVT20240NS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.