ME2N7002D Todos los transistores

 

ME2N7002D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME2N7002D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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ME2N7002D datasheet

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ME2N7002D

ME2N7002D N-Channel MOSFET ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES Simple Drive Requirement The ME2N7002D is the N-Channel logic enhancement mode power Small Package Outline field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ROHS Compliant trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Rating = 2000V HBM min

 6.1. Size:605K  matsuki electric
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ME2N7002D

ME2N7002E N-Channel MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES 60V / 0.50A , RDS(ON)= 5.0 @VGS=10V The ME2N7002E is the N-Channel enhancement mode field effect 60V / 0.30A , RDS(ON)= 5.5 @VGS=4.5V transistors are produced using high cell density DMOS technology. Super high density cell design for extremely These products have been designed to minimize on-state resistanc

Otros transistores... ME25N06 , ME25N06-G , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 , ME2612-G , AO3400A , ME2N7002E , ME3205T , ME3205T-G , ME3587 , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 , ME35N10-G .

History: AP75N07GP | C3M0120090J

 

 

 

 

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