ME2N7002D Todos los transistores

 

ME2N7002D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2N7002D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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ME2N7002D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1630K  matsuki electric
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ME2N7002D

ME2N7002D N-Channel MOSFET ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES Simple Drive Requirement The ME2N7002D is the N-Channel logic enhancement mode power Small Package Outline field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ROHS Compliant trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Rating = 2000V HBM min

 6.1. Size:605K  matsuki electric
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ME2N7002D

ME2N7002E N-Channel MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES 60V / 0.50A , RDS(ON)= 5.0@VGS=10V The ME2N7002E is the N-Channel enhancement mode field effect 60V / 0.30A , RDS(ON)= 5.5@VGS=4.5V transistors are produced using high cell density DMOS technology. Super high density cell design for extremely These products have been designed to minimize on-state resistanc

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History: RQJ0202VGDQA | AP4910GD | CED02N6A | P0910AS | AUIRLI2505 | P6403FMG | RQJ0306FQDQS

 

 
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