Справочник MOSFET. ME2N7002D

 

ME2N7002D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME2N7002D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.8(max) nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для ME2N7002D

 

 

ME2N7002D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1630K  matsuki electric
 me2n7002d.pdf

ME2N7002D ME2N7002D

ME2N7002D N-Channel MOSFET ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES Simple Drive Requirement The ME2N7002D is the N-Channel logic enhancement mode power Small Package Outline field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ROHS Compliant trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Rating = 2000V HBM min

 6.1. Size:605K  matsuki electric
 me2n7002e.pdf

ME2N7002D ME2N7002D

ME2N7002E N-Channel MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES 60V / 0.50A , RDS(ON)= 5.0@VGS=10V The ME2N7002E is the N-Channel enhancement mode field effect 60V / 0.30A , RDS(ON)= 5.5@VGS=4.5V transistors are produced using high cell density DMOS technology. Super high density cell design for extremely These products have been designed to minimize on-state resistanc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top