ME3587 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME3587
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Encapsulados: TSOP-6
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ME3587 datasheet
me3587 me3587-g.pdf
ME3587/ME3587-G N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 45m @VGS=4.5V (N-Ch) The ME3587 is the N- and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 68m @VGS=2.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 120m @VGS=1.8V (N-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especia
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