Справочник MOSFET. ME3587

 

ME3587 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME3587
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для ME3587

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3587 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1233K  matsuki electric
 me3587 me3587-g.pdf pdf_icon

ME3587

ME3587/ME3587-G N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 45m@VGS=4.5V (N-Ch) The ME3587 is the N- and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 68m@VGS=2.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 120m@VGS=1.8V (N-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especia

 0.1. Size:159K  tysemi
 ke3587-g me3587-g.pdf pdf_icon

ME3587

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeMOSFETMOSFETProduct specification(ME3587-G)KE3587-G ( )SOT-23-6Unit: mm FeaturesN-channel:VDS=20V ID=4A RDS(ON)0.045 @VGS=4.5V S1 D2 D1 RDS(ON)0.068 @VGS=2.5V RDS(ON)0.12 @VGS=1.8VP-channel:VDS=-20V ID=-2A0to0.1 RDS(ON)0.11 @VGS=-4.5V

Другие MOSFET... ME2604 , ME2604-G , ME2612 , ME2612-G , ME2N7002D , ME2N7002E , ME3205T , ME3205T-G , MMIS60R580P , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 , ME35N10-G , ME4174 , ME4174-G , ME4411 , ME4411-G .

History: QS8J13 | SIR870ADP | BRF7N65 | CS6N70B3D1-G | SI4825DY | HD830U | NCE1013E

 

 
Back to Top

 


 
.