ME35N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME35N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 94.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 166 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 286 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Encapsulados: TO-252
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ME35N10 datasheet
me35n10 me35n10-g.pdf
ME35N10/ME35N10-G N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME35N10 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 22m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 26m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD
me35n06 me35n06-g.pdf
ME35N06/ME35N06-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 32m @VGS=10V The ME35N06-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 40m @VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to
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History: ME35N06-G
History: ME35N06-G
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