Справочник MOSFET. ME35N10

 

ME35N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME35N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 166 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME35N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1166K  matsuki electric
 me35n10 me35n10-g.pdf pdf_icon

ME35N10

ME35N10/ME35N10-G N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME35N10 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)22m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)26m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD

 9.1. Size:1755K  matsuki electric
 me35n06 me35n06-g.pdf pdf_icon

ME35N10

ME35N06/ME35N06-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)32m@VGS=10V The ME35N06-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)40m@VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NTD20N06G | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | FIR25N03D3G | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.