ME4174-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4174-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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ME4174-G datasheet
me4174 me4174-g.pdf
ME4174/ME4174-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4174 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 6.2m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 11m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
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History: 2SK1821 | STF28N65M2 | 2SJ215 | AP15P10GJ
History: 2SK1821 | STF28N65M2 | 2SJ215 | AP15P10GJ
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