ME4174-G - описание и поиск аналогов

 

ME4174-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4174-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ME4174-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4174-G даташит

 ..1. Size:1164K  matsuki electric
 me4174 me4174-g.pdf pdf_icon

ME4174-G

ME4174/ME4174-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4174 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 6.2m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 11m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... ME3205T , ME3205T-G , ME3587 , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 , ME35N10-G , ME4174 , IRFB7545 , ME4411 , ME4411-G , ME4413D , ME4413D-G , ME4435 , ME4435-G , ME4454 , ME4454-G .

History: AGM7N65D | SST2605 | STF18N60M2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.