Справочник MOSFET. ME4174-G

 

ME4174-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4174-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для ME4174-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4174-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1164K  matsuki electric
 me4174 me4174-g.pdf pdf_icon

ME4174-G

ME4174/ME4174-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4174 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)6.2m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)11m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... ME3205T , ME3205T-G , ME3587 , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 , ME35N10-G , ME4174 , 8N60 , ME4411 , ME4411-G , ME4413D , ME4413D-G , ME4435 , ME4435-G , ME4454 , ME4454-G .

History: RRL025P03 | ME2612

 

 
Back to Top

 


 
.