ME4548-G Todos los transistores

 

ME4548-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4548-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ME4548-G datasheet

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ME4548-G

ME4548/ME4548-G Dual N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4548 is the dual N- and P-Channel logic enhancement RDS(ON) 18 m @VGS=10V (N-Ch) mode power field effect transistors are produced using high cell RDS(ON) 29 m @VGS=4.5V(N-Ch) density, DMOS trench technology. This high density process is RDS(ON) 22m @VGS=-10V(P-Ch) espe

 9.1. Size:1411K  matsuki electric
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ME4548-G

ME4542/ME4542-G N and P- Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 25m @VGS=10V (N-Ch) The ME4542 is the N and P Channel logic enhancement mode RDS(ON) 40m @VGS=4.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 35m @VGS=-10V (P-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especially

Otros transistores... ME4413D-G , ME4435 , ME4435-G , ME4454 , ME4454-G , ME4542 , ME4542-G , ME4548 , IRFZ44N , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , ME45P04 .

 

 

 


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