ME4548-G - описание и поиск аналогов

 

ME4548-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4548-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ME4548-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4548-G даташит

 ..1. Size:1677K  matsuki electric
 me4548 me4548-g.pdf pdf_icon

ME4548-G

ME4548/ME4548-G Dual N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4548 is the dual N- and P-Channel logic enhancement RDS(ON) 18 m @VGS=10V (N-Ch) mode power field effect transistors are produced using high cell RDS(ON) 29 m @VGS=4.5V(N-Ch) density, DMOS trench technology. This high density process is RDS(ON) 22m @VGS=-10V(P-Ch) espe

 9.1. Size:1411K  matsuki electric
 me4542 me4542-g.pdf pdf_icon

ME4548-G

ME4542/ME4542-G N and P- Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 25m @VGS=10V (N-Ch) The ME4542 is the N and P Channel logic enhancement mode RDS(ON) 40m @VGS=4.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 35m @VGS=-10V (P-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especially

Другие MOSFET... ME4413D-G , ME4435 , ME4435-G , ME4454 , ME4454-G , ME4542 , ME4542-G , ME4548 , IRFZ44N , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , ME45P04 .

History: JMSL1040AU | KF60N06P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.