ME45N03T-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME45N03T-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Encapsulados: TO-220
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ME45N03T-G datasheet
me45n03t me45n03t-g.pdf
ME45N03T/ME45N03T-G 30V N-Channel Enhancement Mode GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 14m @VGS=10V The ME45N03T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 21m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially
Otros transistores... ME4548 , ME4548-G , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , 50N06 , ME45P04 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G , ME4825 , ME4825-G , ME4925 , ME4925-G .
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