Справочник MOSFET. ME45N03T-G

 

ME45N03T-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME45N03T-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для ME45N03T-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME45N03T-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1250K  matsuki electric
 me45n03t me45n03t-g.pdf pdf_icon

ME45N03T-G

ME45N03T/ME45N03T-G30V N-Channel Enhancement ModeGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)14m@VGS=10V The ME45N03T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)21m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially

Другие MOSFET... ME4548 , ME4548-G , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , 50N06 , ME45P04 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G , ME4825 , ME4825-G , ME4925 , ME4925-G .

History: LSE60R180HT | IPB048N06LG | DMN3032LE | HM2N10MR | GP1T160A120B | IPD60R1K0PFD7S | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.