ME45N03T-G - описание и поиск аналогов

 

ME45N03T-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME45N03T-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для ME45N03T-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME45N03T-G даташит

 ..1. Size:1250K  matsuki electric
 me45n03t me45n03t-g.pdf pdf_icon

ME45N03T-G

ME45N03T/ME45N03T-G 30V N-Channel Enhancement Mode GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 14m @VGS=10V The ME45N03T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 21m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially

Другие MOSFET... ME4548 , ME4548-G , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , 50N06 , ME45P04 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G , ME4825 , ME4825-G , ME4925 , ME4925-G .

History: WM03P115R | SIHP25N60EFL | 2SJ621 | KF9N50F | GMS2302 | FDMC8878 | MDS1525URH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.