Справочник MOSFET. ME45N03T-G

 

ME45N03T-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME45N03T-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME45N03T-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1250K  matsuki electric
 me45n03t me45n03t-g.pdf pdf_icon

ME45N03T-G

ME45N03T/ME45N03T-G30V N-Channel Enhancement ModeGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)14m@VGS=10V The ME45N03T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)21m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AM3930N | SIHG47N60S | WM06N03LE | HGI110N08AL | 2SJ687 | MSAFA75N10C | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.