ME45P04-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME45P04-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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ME45P04-G Datasheet (PDF)
me45p04 me45p04-g.pdf
ME45P04/ME45P04-G P- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME45P04-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)18m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)25m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo
me45p04.pdf
ME45P04www.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unle
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Liste
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