ME45P04-G - описание и поиск аналогов

 

ME45P04-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME45P04-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для ME45P04-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME45P04-G даташит

 ..1. Size:1365K  matsuki electric
 me45p04 me45p04-g.pdf pdf_icon

ME45P04-G

ME45P04/ME45P04-G P- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME45P04-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 18m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 25m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo

 7.1. Size:884K  cn vbsemi
 me45p04.pdf pdf_icon

ME45P04-G

ME45P04 www.VBsemi.tw P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -40 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.015 ID (A) -50 Configuration Single TO-252 S G D D G S P-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unle

Другие MOSFET... ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , ME45P04 , IRFZ44 , ME4626 , ME4626-G , ME4825 , ME4825-G , ME4925 , ME4925-G , ME4946 , ME4946-G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.