ME4626 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4626
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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ME4626 datasheet
me4626 me4626-g.pdf
ME4626/ME4626-G N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4626-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 3.5m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 4.5m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailor
me4626.pdf
ME4626 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0030 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Gen II 30 0.0040 at VGS = 4.5 V Ultra Low On-Resistance Using High 22 Density TrenchFET Power MOSFET Technology APPLICATIONS Synchronous Buck Low-Side - Notebook - Server
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