Справочник MOSFET. ME4626

 

ME4626 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4626
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для ME4626

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4626 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1347K  matsuki electric
 me4626 me4626-g.pdf pdf_icon

ME4626

ME4626/ME4626-G N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4626-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.5m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)4.5m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailor

 ..2. Size:1598K  cn vbsemi
 me4626.pdf pdf_icon

ME4626

ME4626www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0030 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Gen II300.0040 at VGS = 4.5 V Ultra Low On-Resistance Using High22Density TrenchFET Power MOSFETTechnologyAPPLICATIONS Synchronous Buck Low-Side- Notebook- Server

Другие MOSFET... ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , ME45P04 , ME45P04-G , IRFP460 , ME4626-G , ME4825 , ME4825-G , ME4925 , ME4925-G , ME4946 , ME4946-G , ME4953-G .

History: 4N80G-TF3-T | ELM34808AA | NTHS5441PT1G | NTTFS4C08N | IXFL38N100Q2 | GSM4953S

 

 
Back to Top

 


 
.