ME4626-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME4626-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 128 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4626-G

ME4626-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1347K matsuki electric
me4626 me4626-g.pdf

ME4626/ME4626-G N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4626-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.5m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)4.5m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailor

8.1. Size:1598K cn vbsemi
me4626.pdf

ME4626www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0030 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Gen II300.0040 at VGS = 4.5 V Ultra Low On-Resistance Using High22Density TrenchFET Power MOSFETTechnologyAPPLICATIONS Synchronous Buck Low-Side- Notebook- Server

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Liste

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