ME4626-G - описание и поиск аналогов

 

ME4626-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4626-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ME4626-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4626-G даташит

 ..1. Size:1347K  matsuki electric
 me4626 me4626-g.pdf pdf_icon

ME4626-G

ME4626/ME4626-G N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4626-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 3.5m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 4.5m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailor

 8.1. Size:1598K  cn vbsemi
 me4626.pdf pdf_icon

ME4626-G

ME4626 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0030 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Gen II 30 0.0040 at VGS = 4.5 V Ultra Low On-Resistance Using High 22 Density TrenchFET Power MOSFET Technology APPLICATIONS Synchronous Buck Low-Side - Notebook - Server

Другие MOSFET... ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , ME45P04 , ME45P04-G , ME4626 , IRF1404 , ME4825 , ME4825-G , ME4925 , ME4925-G , ME4946 , ME4946-G , ME4953-G , ME4954 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.