ME4825-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4825-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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ME4825-G datasheet
me4825 me4825-g.pdf
ME4825/ME4825-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 21m @VGS=-10V The ME4825 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 29m @VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially ta
Otros transistores... ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , ME45P04 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G , ME4825 , IRFB4110 , ME4925 , ME4925-G , ME4946 , ME4946-G , ME4953-G , ME4954 , ME4954-G , ME4970-G .
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