ME4825-G Todos los transistores

 

ME4825-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4825-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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ME4825-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1295K  matsuki electric
 me4825 me4825-g.pdf pdf_icon

ME4825-G

ME4825/ME4825-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)21m@VGS=-10V The ME4825 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)29m@VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially ta

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History: YJL3401A | JCS10N60FT | 2N7002G-AE2-R | ME60N03AS-G | JCS10N60ST

 

 
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