Справочник MOSFET. ME4825-G

 

ME4825-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4825-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для ME4825-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4825-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1295K  matsuki electric
 me4825 me4825-g.pdf pdf_icon

ME4825-G

ME4825/ME4825-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)21m@VGS=-10V The ME4825 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)29m@VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially ta

Другие MOSFET... ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , ME45P04 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G , ME4825 , IRF640N , ME4925 , ME4925-G , ME4946 , ME4946-G , ME4953-G , ME4954 , ME4954-G , ME4970-G .

History: VBMB1615 | CEP84A4 | BSC123N08NS3G | 2SK2101-01MR | IRFP9133 | RHP030N03T100 | AM5931P

 

 
Back to Top

 


 
.