Справочник MOSFET. ME4825-G

 

ME4825-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME4825-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 54 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для ME4825-G

 

 

ME4825-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1295K  matsuki electric
 me4825 me4825-g.pdf

ME4825-G ME4825-G

ME4825/ME4825-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)21m@VGS=-10V The ME4825 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)29m@VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially ta

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top