ME50P06-G Todos los transistores

 

ME50P06-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME50P06-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 94 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 373 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME50P06-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1228K  matsuki electric
 me50p06 me50p06-g.pdf pdf_icon

ME50P06-G

ME50P06/ME50P06-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME50P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)17m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)20m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

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History: SM6A26NSF | IPA60R280C6

 

 
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