ME50P06-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME50P06-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 373 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Encapsulados: TO-252
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ME50P06-G datasheet
me50p06 me50p06-g.pdf
ME50P06/ME50P06-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME50P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 17m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 20m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low
Otros transistores... ME4970-G , ME50N06A , ME50N06A-G , ME50N06T , ME50N06T-G , ME50N75T , ME50N75T-G , ME50P06 , AON7408 , ME55N06A , ME55N06A-G , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , ME66N04T .
History: AON6906 | CRST040N10N | AOT25S65L | AOTF3N100
History: AON6906 | CRST040N10N | AOT25S65L | AOTF3N100
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