Справочник MOSFET. ME50P06-G

 

ME50P06-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME50P06-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME50P06-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1228K  matsuki electric
 me50p06 me50p06-g.pdf pdf_icon

ME50P06-G

ME50P06/ME50P06-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME50P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)17m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)20m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFP254N | NCEP026N10F | PHX45NQ11T | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.