Справочник MOSFET. ME50P06-G

 

ME50P06-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME50P06-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для ME50P06-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME50P06-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1228K  matsuki electric
 me50p06 me50p06-g.pdf pdf_icon

ME50P06-G

ME50P06/ME50P06-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME50P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)17m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)20m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

Другие MOSFET... ME4970-G , ME50N06A , ME50N06A-G , ME50N06T , ME50N06T-G , ME50N75T , ME50N75T-G , ME50P06 , 2N7000 , ME55N06A , ME55N06A-G , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , ME66N04T .

History: 2SK3019 | VS3628GA | CSD16322Q5

 

 
Back to Top

 


 
.