ME60P06T-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME60P06T-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 90.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 55.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 98.6 nC
Tiempo de subida (tr): 18.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 427 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0165 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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ME60P06T-G Datasheet (PDF)
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ME60P06T/ME60P06T-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME60P06T is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16.5m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20.5m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme
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