ME60P06T-G Todos los transistores

 

ME60P06T-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME60P06T-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 427 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm

Encapsulados: TO-220

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ME60P06T-G datasheet

 ..1. Size:950K  matsuki electric
 me60p06t me60p06t-g.pdf pdf_icon

ME60P06T-G

ME60P06T/ME60P06T-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME60P06T is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 16.5m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 20.5m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

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History: HP640 | 2SK3126 | TPC6006-H

 

 

 

 

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