Справочник MOSFET. ME60P06T-G

 

ME60P06T-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME60P06T-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 427 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME60P06T-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:950K  matsuki electric
 me60p06t me60p06t-g.pdf pdf_icon

ME60P06T-G

ME60P06T/ME60P06T-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME60P06T is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16.5m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20.5m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PHP45N03LT

 

 
Back to Top

 


 
.