ME60P06T-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME60P06T-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 98.6 nC
Время нарастания (tr): 18.1 ns
Выходная емкость (Cd): 427 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0165 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для ME60P06T-G
ME60P06T-G Datasheet (PDF)
..1. Size:950K matsuki electric
me60p06t me60p06t-g.pdf
me60p06t me60p06t-g.pdf
ME60P06T/ME60P06T-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME60P06T is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16.5m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20.5m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
