ME60P06T-G - аналоги и даташиты транзистора

 

ME60P06T-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME60P06T-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 427 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для ME60P06T-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME60P06T-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:950K  matsuki electric
 me60p06t me60p06t-g.pdf pdf_icon

ME60P06T-G

ME60P06T/ME60P06T-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME60P06T is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16.5m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20.5m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

Другие MOSFET... ME50P06 , ME50P06-G , ME55N06A , ME55N06A-G , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , IRFP260 , ME66N04T , ME6968ED , ME6968ED-G , ME6980ED , ME6980ED-G , ME7114S-G , ME7804S-G , ME7839S-G .

 

 
Back to Top

 


 
.