ME66N04T Todos los transistores

 

ME66N04T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME66N04T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 666 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: TO-220FB

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ME66N04T datasheet

 ..1. Size:1048K  matsuki electric
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ME66N04T

ME66N04T N- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) =10.5m The ME66N04T is the N-Channel logic enhancement mode power @VGS=10V RDS(ON) =13.5m field effect transistors are produced using high cell density DMOS @VGS=4.5V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailore

Otros transistores... ME50P06-G , ME55N06A , ME55N06A-G , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , K3569 , ME6968ED , ME6968ED-G , ME6980ED , ME6980ED-G , ME7114S-G , ME7804S-G , ME7839S-G , ME80N08A .

History: AP25N170I | MEE3712T | JMSH2010BTL | SVF840MJ | BSC265N10LSFG | H7N60F | SUM110N06-3M4L

 

 

 

 

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