ME66N04T Todos los transistores

 

ME66N04T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME66N04T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 666 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FB
 

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ME66N04T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1048K  matsuki electric
 me66n04t.pdf pdf_icon

ME66N04T

ME66N04TN- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) =10.5m The ME66N04T is the N-Channel logic enhancement mode power @VGS=10V RDS(ON) =13.5mfield effect transistors are produced using high cell density DMOS @VGS=4.5V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailore

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History: IPA60R180P7S | KU310N10F | CSD17577Q3A | NCEP40T13AGU | VS3622DE | SPN10T10 | STL35N6F3

 

 
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