Справочник MOSFET. ME66N04T

 

ME66N04T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME66N04T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 666 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FB
 

 Аналог (замена) для ME66N04T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME66N04T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1048K  matsuki electric
 me66n04t.pdf pdf_icon

ME66N04T

ME66N04TN- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) =10.5m The ME66N04T is the N-Channel logic enhancement mode power @VGS=10V RDS(ON) =13.5mfield effect transistors are produced using high cell density DMOS @VGS=4.5V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailore

Другие MOSFET... ME50P06-G , ME55N06A , ME55N06A-G , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , SPP20N60C3 , ME6968ED , ME6968ED-G , ME6980ED , ME6980ED-G , ME7114S-G , ME7804S-G , ME7839S-G , ME80N08A .

History: VBM17R10 | NCE60H15AD | IXTQ26N50P | CS7N70F | STN442D | IPU95R450P7

 

 
Back to Top

 


 
.