ME6968ED-G Todos los transistores

 

ME6968ED-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME6968ED-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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ME6968ED-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1082K  matsuki electric
 me6968ed me6968ed-g.pdf pdf_icon

ME6968ED-G

ME6968ED(-G) Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode MosfetGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)25m@VGS=10V The ME6968ED Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)27m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)32m@VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to S

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History: AOC3868 | TT8J13 | ME95N03T | GM2302 | AO4800 | AON7518 | IPB77N06S2-12

 

 
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