ME6968ED-G Todos los transistores

 

ME6968ED-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME6968ED-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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ME6968ED-G datasheet

 ..1. Size:1082K  matsuki electric
 me6968ed me6968ed-g.pdf pdf_icon

ME6968ED-G

ME6968ED(-G) Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode Mosfet GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 25m @VGS=10V The ME6968ED Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 27m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 32m @VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to S

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History: DMP6185SE | SUD50P04-09L

 

 

 

 

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