ME6968ED-G - аналоги и даташиты транзистора

 

ME6968ED-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME6968ED-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для ME6968ED-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME6968ED-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1082K  matsuki electric
 me6968ed me6968ed-g.pdf pdf_icon

ME6968ED-G

ME6968ED(-G) Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode MosfetGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)25m@VGS=10V The ME6968ED Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)27m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)32m@VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to S

Другие MOSFET... ME55N06A-G , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED , 2SK3568 , ME6980ED , ME6980ED-G , ME7114S-G , ME7804S-G , ME7839S-G , ME80N08A , ME80N08A-G , ME80N75F-G .

History: STM6966 | TSF10N60M | NCEAP40T35ALL | PMZ950UPE | ET6300 | HM2807D | BUK9Y4R4-40E

 

 
Back to Top

 


 
.