ME6968ED-G - описание и поиск аналогов

 

ME6968ED-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME6968ED-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для ME6968ED-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME6968ED-G даташит

 ..1. Size:1082K  matsuki electric
 me6968ed me6968ed-g.pdf pdf_icon

ME6968ED-G

ME6968ED(-G) Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode Mosfet GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 25m @VGS=10V The ME6968ED Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 27m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 32m @VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to S

Другие MOSFET... ME55N06A-G , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED , 4435 , ME6980ED , ME6980ED-G , ME7114S-G , ME7804S-G , ME7839S-G , ME80N08A , ME80N08A-G , ME80N75F-G .

History: CPH3459

 

 

 

 

↑ Back to Top
.