Справочник MOSFET. ME6968ED-G

 

ME6968ED-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME6968ED-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для ME6968ED-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME6968ED-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1082K  matsuki electric
 me6968ed me6968ed-g.pdf pdf_icon

ME6968ED-G

ME6968ED(-G) Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode MosfetGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)25m@VGS=10V The ME6968ED Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)27m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)32m@VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to S

Другие MOSFET... ME55N06A-G , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED , 2SK3568 , ME6980ED , ME6980ED-G , ME7114S-G , ME7804S-G , ME7839S-G , ME80N08A , ME80N08A-G , ME80N75F-G .

History: CS7N70F | NCE60H15AD | OSG70R1KPF | FDFME2P823ZT | MP15N60EIC | IXTQ26N50P

 

 
Back to Top

 


 
.