STH15N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STH15N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO218

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STH15N50

STH15N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:336K 1
sth15n50 sth15n50fi stw15n50.pdf

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sth15nb50fi stw15nb50.pdf

STW15NB50STH15NB50FIN-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A -T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW15NB50 500 V

8.2. Size:409K st
sth15na50.pdf

STH15NA50/FISTW15NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH15NA50 500 V

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STH150N10F7-2N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTSTH150N10F7-2 100 V 0.0039 110 A 250 WTAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity31 High avalanche ruggedness2H

9.2. Size:965K st
sth15810-2.pdf

STH15810-2N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTSTH15810-2 100 V 0.0039 110 A 250 WTAB 100% avalanche tested Ultra low on-resistance231 Applications2 Switching applicationsH PAK-2DescriptionThis N-channel Power MOSFETs utilize STr

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Liste

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