Справочник MOSFET. STH15N50

 

STH15N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH15N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO218
 

 Аналог (замена) для STH15N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH15N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  1
 sth15n50 sth15n50fi stw15n50.pdf pdf_icon

STH15N50

 8.1. Size:206K  st
 sth15nb50fi stw15nb50.pdf pdf_icon

STH15N50

STW15NB50STH15NB50FIN-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A -T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW15NB50 500 V

 8.2. Size:409K  st
 sth15na50.pdf pdf_icon

STH15N50

STH15NA50/FISTW15NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH15NA50 500 V

 9.1. Size:965K  st
 sth150n10f7-2.pdf pdf_icon

STH15N50

STH150N10F7-2N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTSTH150N10F7-2 100 V 0.0039 110 A 250 WTAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity31 High avalanche ruggedness2H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STH10NA50 , STH10NA50FI , STH12N60 , STH12N60FI , STH12NA60 , STH12NA60FI , STH14N50 , STH14N50FI , 20N50 , STH15N50FI , STH15NA50 , STH15NA50FI , STH26N25 , STH26N25FI , STH33N20 , STH33N20FI , STH45N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.