ME6980ED-G Todos los transistores

 

ME6980ED-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME6980ED-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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ME6980ED-G datasheet

 ..1. Size:1307K  matsuki electric
 me6980ed me6980ed-g.pdf pdf_icon

ME6980ED-G

ME6980ED/ME6980ED-G Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode Mosfet , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 14.5m @VGS=4.5V The ME6980ED is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 15m @VGS=4.0V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON) 17m @VGS=3.1V DMOS trench technology. This high density proces

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History: WSR25N20

 

 

 

 

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