ME6980ED-G Todos los transistores

 

ME6980ED-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME6980ED-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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ME6980ED-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1307K  matsuki electric
 me6980ed me6980ed-g.pdf pdf_icon

ME6980ED-G

ME6980ED/ME6980ED-G Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode Mosfet , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)14.5m@VGS=4.5V The ME6980ED is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)15m@VGS=4.0V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON)17m@VGS=3.1V DMOS trench technology. This high density proces

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History: SPA08N80C3 | SSM3K310T | P6003QEA | H5N60F | SSM3K324R | IXFH46N65X2 | STP3NK60ZFP

 

 
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