Справочник MOSFET. ME6980ED-G

 

ME6980ED-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME6980ED-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для ME6980ED-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME6980ED-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1307K  matsuki electric
 me6980ed me6980ed-g.pdf pdf_icon

ME6980ED-G

ME6980ED/ME6980ED-G Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode Mosfet , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)14.5m@VGS=4.5V The ME6980ED is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)15m@VGS=4.0V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON)17m@VGS=3.1V DMOS trench technology. This high density proces

Другие MOSFET... ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED , ME6968ED-G , ME6980ED , IRF9540N , ME7114S-G , ME7804S-G , ME7839S-G , ME80N08A , ME80N08A-G , ME80N75F-G , ME80N75T , ME80N75T-G .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.