Справочник MOSFET. ME6980ED-G

 

ME6980ED-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME6980ED-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME6980ED-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1307K  matsuki electric
 me6980ed me6980ed-g.pdf pdf_icon

ME6980ED-G

ME6980ED/ME6980ED-G Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode Mosfet , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)14.5m@VGS=4.5V The ME6980ED is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)15m@VGS=4.0V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON)17m@VGS=3.1V DMOS trench technology. This high density proces

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPA60R160P6 | DK64N90 | 2N65L-TF3T-T | SKI04044 | FTP11N08 | RD3U060CN | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.