Справочник MOSFET. ME6980ED-G

 

ME6980ED-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME6980ED-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для ME6980ED-G

 

 

ME6980ED-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1307K  matsuki electric
 me6980ed me6980ed-g.pdf

ME6980ED-G ME6980ED-G

ME6980ED/ME6980ED-G Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode Mosfet , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)14.5m@VGS=4.5V The ME6980ED is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)15m@VGS=4.0V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON)17m@VGS=3.1V DMOS trench technology. This high density proces

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top