ME7839S-G Todos los transistores

 

ME7839S-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7839S-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 371 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME7839S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1430K  1
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ME7839S-G

ME7839S-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7839S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 12m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 19m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to APPLICATIONS Power Management in Note book minimize on-s

 ..2. Size:1383K  matsuki electric
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ME7839S-G

ME7839S-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7839S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 12m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 19m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to APPLICATIONS Power Management in Note book minimize on-s

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History: BL20N50-A | STP8NS25FP | KP746B1 | AP4407GS-HF | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | IPP90R1K0C3

 

 
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