ME7839S-G Todos los transistores

 

ME7839S-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7839S-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 371 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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ME7839S-G datasheet

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ME7839S-G

ME7839S-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7839S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 12m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 19m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to APPLICATIONS Power Management in Note book minimize on-s

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ME7839S-G

ME7839S-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7839S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 12m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 19m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to APPLICATIONS Power Management in Note book minimize on-s

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History: IPD70R600CE | APT5030BN | WMR07P03TS | AP3C023AMT | RW1E025RP | APT10035JFLL

 

 

 

 

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