ME7839S-G - описание и поиск аналогов

 

ME7839S-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7839S-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 371 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для ME7839S-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7839S-G даташит

 ..1. Size:1430K  1
 me7839s-g.pdf pdf_icon

ME7839S-G

ME7839S-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7839S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 12m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 19m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to APPLICATIONS Power Management in Note book minimize on-s

 ..2. Size:1383K  matsuki electric
 me7839s-g.pdf pdf_icon

ME7839S-G

ME7839S-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7839S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 12m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 19m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to APPLICATIONS Power Management in Note book minimize on-s

Другие MOSFET... ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED , ME6968ED-G , ME6980ED , ME6980ED-G , ME7114S-G , ME7804S-G , AON7410 , ME80N08A , ME80N08A-G , ME80N75F-G , ME80N75T , ME80N75T-G , ME8107 , ME8107-G , ME8205E .

History: ME6980ED-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.