Справочник MOSFET. ME7839S-G

 

ME7839S-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7839S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 371 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для ME7839S-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7839S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1430K  1
 me7839s-g.pdf pdf_icon

ME7839S-G

ME7839S-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7839S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 12m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 19m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to APPLICATIONS Power Management in Note book minimize on-s

 ..2. Size:1383K  matsuki electric
 me7839s-g.pdf pdf_icon

ME7839S-G

ME7839S-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7839S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 12m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 19m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to APPLICATIONS Power Management in Note book minimize on-s

Другие MOSFET... ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED , ME6968ED-G , ME6980ED , ME6980ED-G , ME7114S-G , ME7804S-G , RFP50N06 , ME80N08A , ME80N08A-G , ME80N75F-G , ME80N75T , ME80N75T-G , ME8107 , ME8107-G , ME8205E .

History: PP4B10AS | AP30P10GI | AP4226BGM-HF | TSB15N10A | SM6A26NSFP | AP2P028EM | SI4660DY

 

 
Back to Top

 


 
.