Справочник MOSFET. ME7839S-G

 

ME7839S-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME7839S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 371 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для ME7839S-G

 

 

ME7839S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1430K  1
 me7839s-g.pdf

ME7839S-G ME7839S-G

ME7839S-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7839S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 12m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 19m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to APPLICATIONS Power Management in Note book minimize on-s

 ..2. Size:1383K  matsuki electric
 me7839s-g.pdf

ME7839S-G ME7839S-G

ME7839S-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7839S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 12m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 19m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to APPLICATIONS Power Management in Note book minimize on-s

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top