ME8107-G Todos los transistores

 

ME8107-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME8107-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ME8107-G datasheet

 ..1. Size:1191K  matsuki electric
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ME8107-G

ME8107/ME8107-G P-Channel 35V (D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8107-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7.2m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 12m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for e

 8.1. Size:819K  cn vbsemi
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ME8107-G

ME8107 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg Tested RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G S

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History: DMP6185SE | 2SK1562

 

 

 

 

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