Справочник MOSFET. ME8107-G

 

ME8107-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME8107-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для ME8107-G

 

 

ME8107-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1191K  matsuki electric
 me8107 me8107-g.pdf

ME8107-G ME8107-G

ME8107/ME8107-G P-Channel 35V (D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8107-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7.2m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)12m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for e

 8.1. Size:819K  cn vbsemi
 me8107.pdf

ME8107-G ME8107-G

ME8107www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G S

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top