Справочник MOSFET. ME8107-G

 

ME8107-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME8107-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для ME8107-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME8107-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1191K  matsuki electric
 me8107 me8107-g.pdf pdf_icon

ME8107-G

ME8107/ME8107-G P-Channel 35V (D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8107-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7.2m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)12m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for e

 8.1. Size:819K  cn vbsemi
 me8107.pdf pdf_icon

ME8107-G

ME8107www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G S

Другие MOSFET... ME7804S-G , ME7839S-G , ME80N08A , ME80N08A-G , ME80N75F-G , ME80N75T , ME80N75T-G , ME8107 , IRLB4132 , ME8205E , ME8205E-G , ME85P03 , ME85P03-G , ME90N03 , ME90N03-G , ME9435 , ME9435-G .

History: 2SK3783 | AUIRFS3006-7P | SM3419NHQA | RS1G180MN | HAT2195R | CPH6311 | KQB2N50

 

 
Back to Top

 


 
.