Справочник MOSFET. ME8107-G

 

ME8107-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME8107-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME8107-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1191K  matsuki electric
 me8107 me8107-g.pdf pdf_icon

ME8107-G

ME8107/ME8107-G P-Channel 35V (D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8107-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7.2m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)12m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for e

 8.1. Size:819K  cn vbsemi
 me8107.pdf pdf_icon

ME8107-G

ME8107www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G S

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: R6004ENJ | SQM200N04-1M8 | OSS60R190FF | SSM5P16FU | SM2314 | SSF2814EH2 | DMN66D0LW

 

 
Back to Top

 


 
.