ME85P03 Todos los transistores

 

ME85P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME85P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 432 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de ME85P03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME85P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1214K  matsuki electric
 me85p03 me85p03-g.pdf pdf_icon

ME85P03

ME85P03/ ME85P03-G P- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME85P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)8m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)11m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low R

Otros transistores... ME80N08A-G , ME80N75F-G , ME80N75T , ME80N75T-G , ME8107 , ME8107-G , ME8205E , ME8205E-G , 18N50 , ME85P03-G , ME90N03 , ME90N03-G , ME9435 , ME9435-G , ME9435A , ME9435A-G , ME95N03 .

History: 2N7090 | PJA3415AE | FCPF7N60YDTU | NTTFS5116PLTAG | JMTC58N06B | SSF60R099S2E | AON7430L

 

 
Back to Top

 


 
.