ME85P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME85P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 88 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 432 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO-252
ME85P03 Datasheet (PDF)
..1. Size:1214K matsuki electric
me85p03 me85p03-g.pdf
me85p03 me85p03-g.pdf
ME85P03/ ME85P03-G P- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME85P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)8m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)11m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low R
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
